中芯国际28纳米制程发力我国半导体产业将进入爆发期|PG电子平台

本文摘要:大陆代工业巨头中芯国际近来与28纳米工艺涉及的动作屡屡,不仅于今年1月27日宣告向客户获取28纳米多晶硅(PolySiON)和28纳米低介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项代工服务,月转入28纳米工艺时代;又于2月9日较慢与ARM签定针对ARMArtisan物理IP的合作协议,该IP可为中芯国际的28纳米工艺获取高性能、高密度、低功耗的系统级芯片(SoC)设计反对。而分析中芯国际这些行径,目的不外乎提供移动与消费电子客户的注目,与台积电等抢夺在这一领域的客户资源。

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大陆代工业巨头中芯国际近来与28纳米工艺涉及的动作屡屡,不仅于今年1月27日宣告向客户获取28纳米多晶硅(PolySiON)和28纳米低介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项代工服务,月转入28纳米工艺时代;又于2月9日较慢与ARM签定针对ARMArtisan物理IP的合作协议,该IP可为中芯国际的28纳米工艺获取高性能、高密度、低功耗的系统级芯片(SoC)设计反对。而分析中芯国际这些行径,目的不外乎提供移动与消费电子客户的注目,与台积电等抢夺在这一领域的客户资源。  就目前而言,28纳米工艺制程主要是为客户获取高性能应用于处理器、移动机带及无线网络芯片,这些芯片应用于智能手机、平板计算机、机顶盒和互联网等移动计算出来及消费电子产品领域。

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据预期,主流的移动应用于处理器在2015年前仍将使用28nm工艺。


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